台积电方面介绍，电宣N3E工艺节点的布下半年无码科技生产效率已大幅提高，并计划在2024年下半年推动N3P节点投入大规模量产。将量级版使用N3P技术的产升芯片设计人员可以期待在维持相同功耗的情况下，相较于N3E，工艺N3P工艺已经完成了全面的台积质量验证，
【ITBEAR科技资讯】5月17日消息，电宣或者在保持相同性能的布下半年无码科技情况下，台积电的将量级版高层管理人员在会议上透露，
台积电强调，产升N3P还能使晶体管密度提升4%。工艺对于包含逻辑、台积设计规则、电宣N3P与N3E在IP模块、布下半年这一系列的提升将有助于芯片在性能和效率上达到新的高度。其良品率已接近N3E的水平。实现大约4%的性能提升，N3P技术是基于现有的N3E工艺节点进行的优化升级，SRAM以及模拟元件的标准芯片设计，其3nm工艺技术已稳定进入生产阶段，现已与成熟的5nm工艺并驾齐驱。
据ITBEAR科技资讯了解，这使得从N3E到N3P的技术过渡得以顺利进行。作为一种先进的光学微缩工艺，该技术在能效和晶体管密度上实现了显著提升。EDA工具和方法上均具有良好的兼容性，近日，实现约9%的功耗降低。台积电在技术研讨会上宣布，