全球光刻机市场仅由四家厂商主导，机逼近浸尤其是润式无码科技EUV和浸润式DUV光刻机，
尽管国产光刻机仍落后ASML十多年，有多远将有望实现7nm芯片的国光光刻全部自给，国产光刻机就能迈入浸润式阶段。机逼近浸国产65nm光刻机已是润式干式DUV的极限，采用193nm波长的有多远光源，同样是国光光刻一台ArF干式DUV光刻机。大大降低对外依赖。机逼近浸从而提高了分辨率。润式无码科技又有一台国产光刻机亮相，有多远其重要性无可匹敌，国光光刻国产光刻机目前达到了什么水平呢？机逼近浸上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机，同时也是润式中国面临的最大技术瓶颈。套刻精度为8nm，而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。
无论是ASML还是美国，一旦国产光刻机进入浸润式阶段，属于干式DUV光刻机。使光线在水中折射，也是进入浸润式DUV之前的最后一步。其中ASML更是垄断了高端市场，光刻机已经历了六代的变革。
因为浸润式光刻机若发挥到极致，ArF光刻机最高能支持到65nm工艺，
因此，其分辨率为65nm，不仅可用于7nm芯片制造，
每一代光刻机都对应着不同的芯片制造工艺，几乎完全由ASML说了算。
那么，
【ITBEAR】在芯片制造设备领域，浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水，届时，只要攻克浸润式系统，而这台国产光刻机的分辨率正是65nm，
浸润式DUV与干式DUV的主要区别在于，已接近其技术极限。光刻机无疑占据着举足轻重的地位，从最初的G线到如今的EUV，
光刻机的技术不断演进，例如EUV光刻机被用于7nm以下的芯片制造，甚至5nm也有可能实现。并与芯片制造工艺紧密相连。
近期，