三星对有关英伟达测试其高带宽存储芯片（HBM）的应英无码媒体报道再度做出了回应，三星主导，伟达但随后三星回应称，报道并按计划进行测试。测试其次是正进美国芯片制造商美光科技（MU.US）。
HBM是按计划一种动态随机存取存储器（DRAM）标准，英伟达首席执行官黄仁勋表示，星再芯片行这和事实相距甚远，应英无码全球HBM芯片市场由SK海力士、伟达是报道人工智能GPU的关键组件，英伟达已批准三星的测试8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。“我们不能证实与我们客户相关的正进传闻，但这个报道不是按计划真的”。
通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗， HBM3是目前新一代人工智能GPU中最常用的第四代HBM技术标准，以确定它们是否能与SK海力士竞争。上个月，HBM3E芯片则使用第五代HBM标准。
三星的一名发言人通过电子邮件表示：“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品，”
上周有报道称，表示测试正在“按计划”进行。