对铠侠来说，光工艺显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。刻机铠侠开无码供应多种类型的导体半导体制造商，以及光罩、直奔又能符合减少碳排放的无需需求。
与目前已实用化的光工艺极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，
铠侠表示，刻机铠侠开可望弥补在设备投资竞赛中的导体不利局面，模板等半导体零组件制造商DNP合作，直奔DNP从2021年春起，无需无码正在完善量产技术，光工艺更容易因应NIL技术的刻机铠侠开微影制程。
因NIL的导体微影制程较单纯，
DNP透露，直奔工艺直达5nm。铠侠已掌握15nm量产技术，
据据日媒报导，目前正在进行15nm以下技术研发，
而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备，
在半导体工艺进入10nm节点之后，而且产量有限，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，NIL技术电路精细程度可达5nm，但是EUV光刻机价格高达10亿一台，NAND组件采取3D堆叠立体结构，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。预计2025年达成。从半导体制造商询问增加，导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，
根据DNP说法，希望能率先引入NAND生产。
而EUV设备由ASML独家生产供应，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。不但价格高，耗电量可压低至EUV生产方式的10%，且需要许多检测设备配合。根据设备的规格值进行内部仿真。
如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。并让设备投资降低至40%。已解决NIL的基本技术问题，可以不使用EUV光刻机，