而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的无需设备，
光工艺
在半导体工艺进入10nm节点之后，导体且需要许多检测设备配合。直奔根据设备的无需规格值进行内部仿真。NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。光工艺
据据日媒报导，刻机铠侠开已解决NIL的导体基本技术问题，在日本三重县四日市的直奔铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，不但价格高，无需无码
对铠侠来说，光工艺铠侠已掌握15nm量产技术，刻机铠侠开又能符合减少碳排放的导体需求。从半导体制造商询问增加，直奔导致芯片生产成本很高。模板等半导体零组件制造商DNP合作，并让设备投资降低至40%。NAND组件采取3D堆叠立体结构，
铠侠表示，DNP从2021年春起，以及光罩、
如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，
DNP透露，EUV工艺是少不了的，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。目前正在进行15nm以下技术研发，NIL技术电路精细程度可达5nm，显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。希望能率先引入NAND生产。将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。
根据DNP说法，更容易因应NIL技术的微影制程。耗电量可压低至EUV生产方式的10%，
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，但是EUV光刻机价格高达10亿一台，而且产量有限，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，
而EUV设备由ASML独家生产供应，
因NIL的微影制程较单纯，
与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，可以不使用EUV光刻机，供应多种类型的半导体制造商，正在完善量产技术，工艺直达5nm。