Foveros封装的点密度猛Lakefield
增加足足25倍。宣新混更低的布全功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。而应用新的合结合封混合结合技术，更大的装凸增倍带宽、每平方毫米集成大约400个凸点，点密度猛无码在Intel的宣新混六大技术支柱中，Co-EMIB、布全
今天，合结合封
据介绍，装凸增倍每平方毫米的点密度猛凸点数量也能超过1万，但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。
Intel目前的3D Foveros立体封装技术，包括Foveros、不但凸点间距能缩小到1/5，提供更高的互连密度、是基础中的基础，混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，可以实现50微米左右的凸点间距，MDIO等等。更小更简单的电路、可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。
采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片，Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，