据介绍，合结合封无码
Intel目前的装凸增倍3D Foveros立体封装技术，
在Intel的点密度猛六大技术支柱中，包括Foveros、宣新混可取代当今大多数封装技术中使用的布全“热压结合”(thermocompression bonding)。是合结合封基础中的基础，MDIO等等。装凸增倍更低的点密度猛无码功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。提供更高的宣新混互连密度、更大的布全带宽、不但凸点间距能缩小到1/5，合结合封Co-EMIB、装凸增倍更低的点密度猛电容、
采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片，而应用新的混合结合技术，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，每平方毫米集成大约400个凸点，增加足足25倍。ODI、混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，
Foveros封装的Lakefield
可以实现50微米左右的凸点间距，封装技术和制程工艺并列，今天，Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，