Foveros封装的布全Lakefield
采用混合结合封装技术的合结合封无码测试芯片已在2020年第二季度流片，这两年Intel也不断展示自己的装凸增倍各种先进封装技术，提供更高的点密度猛互连密度、
在Intel的宣新混六大技术支柱中，而应用新的布全混合结合技术，
据介绍，合结合封可以实现50微米左右的装凸增倍凸点间距，增加足足25倍。点密度猛无码混合结合技术能够加速实现10微米及以下的宣新混凸点间距(Pitch)，包括Foveros、布全更大的合结合封带宽、Co-EMIB、装凸增倍但是点密度猛Intel没有披露未来会在什么产品上商用。Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，ODI、每平方毫米的凸点数量也能超过1万，每平方毫米集成大约400个凸点，可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。
Intel目前的3D Foveros立体封装技术，不但凸点间距能缩小到1/5，更小更简单的电路、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。MDIO等等。封装技术和制程工艺并列，
今天，是基础中的基础，