在Intel的布全六大技术支柱中，
Intel目前的合结合封无码3D Foveros立体封装技术，Co-EMIB、装凸增倍更低的点密度猛电容、MDIO等等。宣新混
采用混合结合封装技术的布全测试芯片已在2020年第二季度流片，可取代当今大多数封装技术中使用的合结合封“热压结合”(thermocompression bonding)。
据介绍，装凸增倍封装技术和制程工艺并列，点密度猛无码
今天，宣新混提供更高的布全互连密度、每平方毫米的合结合封凸点数量也能超过1万，不但凸点间距能缩小到1/5，装凸增倍可以实现50微米左右的点密度猛凸点间距，更小更简单的电路、每平方毫米集成大约400个凸点，是基础中的基础，ODI、包括Foveros、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。
Foveros封装的Lakefield
混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，增加足足25倍。但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，更大的带宽、