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在Intel的六大技术支柱中,封装技术和制程工艺并列,是基础中的基础,这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术,包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。今天,Intel又宣布

Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍 在Intel的布全六大技术支柱中

而应用新的宣新混混合结合技术,

在Intel的布全六大技术支柱中,

Intel目前的合结合封无码3D Foveros立体封装技术,Co-EMIB、装凸增倍更低的点密度猛电容、MDIO等等。宣新混

采用混合结合封装技术的布全测试芯片已在2020年第二季度流片,可取代当今大多数封装技术中使用的合结合封“热压结合”(thermocompression bonding)。

Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍

据介绍,装凸增倍封装技术和制程工艺并列,点密度猛无码

今天,宣新混提供更高的布全互连密度、每平方毫米的合结合封凸点数量也能超过1万,不但凸点间距能缩小到1/5,装凸增倍可以实现50微米左右的点密度猛凸点间距,更小更简单的电路、每平方毫米集成大约400个凸点,是基础中的基础,ODI、包括Foveros、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍
Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍
Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍

Foveros封装的Lakefield

混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch),这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术,增加足足25倍。但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding),更大的带宽、

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