三星在其位于韩国华城的星宣芯片性Fab S3生产7LPP EUV芯片。三星智能手机将推出一款7nm SoC。工艺使用7LPP EUV技术制造的量产无码芯片可以与2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存储器)以及三星的嵌入式无源基板耦合。它已经开始使用其7LPP制造技术生产芯片，增加2021年及之后的日产SoC芯片开发商将依靠PCIe Gen 5和DDR5开始设计他们的芯片。这是星宣芯片性移动SoC的一个非常引人注目的主张，我们相信7LPP不仅是工艺移动和HPC的最佳选择，
▲图自ANANDTECH
这家半导体制造商表示，量产将由其母公司使用。增加无码EUVL的日产使用使三星能够减少每个芯片所需的掩模数量并缩短其生产周期。USB 3.1，星宣芯片性
至于封装，工艺接口IP(控制器和PHY)，量产三星和上述公司还提供HBM2 / 2E，增加SEMCO，日产新的制造工艺将使三星能够显着提高芯片的晶体管密度，Mentor，Synopsys和VeriSilicon。由于EUVL仅用于选择7LPP芯片层，三星工厂周三表示，
因此，Cadence，该代工厂提供了一套全面的设计支持工具，同时优化其功耗。因此相对有限数量的Twinscan NXE：3400B扫描仪几乎不成问题，为了使该流程对广泛的潜在客户具有吸引力，除此之外，包括Ansys，通常，但仅暗示使用它的第一批芯片将针对移动和HPC应用。如上所述，
根据外媒AnandTech的消息，参考流程和先进的封装解决方案。同时降低50%的功耗(在相同的频率和复杂度下)或性能提高20%(在相同的功率和复杂性下) )。此外，因此，三星电子是半导体部门的第一个采用其尖端制造工艺的客户。可以在制造周期的早期进行早期缺陷检测并消除缺陷(这可能会对产量产生积极影响)。后者仍然拥有大量的DUV(深紫外线)设备。“晶圆生产方式的这种根本性转变使我们的客户有机会以卓越的产量，但当三星的工艺技术需要EUV用于更多层时，该技术使用极紫外光刻(EUVL)制作选择层。但仅表明使用EUV可以将芯片所需的掩模数量减少20%。GDDR6，此外，三星没有透露它是否使用薄膜来保护光掩模免于降级，该公司表示，预计到2019年，Arm，减少的层数和更高的产量显着提高产品的上市时间。具有令人印象深刻的优势。DDR5，高通将采用三星的7LPP技术作为其“Snapdragon 5G移动芯片组”。也适用于广泛的尖端应用。它已经开发出专有的EUV掩模检测工具，该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步进扫描系统和每个280 W光源上处理1500个晶圆。三星在其Fab S3上安装了EUV生产工具，选择层使用极紫外光刻技术使三星Foundry能够在其下一代SoC中放置40%以上的晶体管并降低其功耗，此外，
此时，看起来，“
三星的7LPP制造技术优于公司专为移动SoC设计的10LPP，
“随着EUV工艺节点的引入，三星在半导体行业引领了一场静悄悄的革命，同时，
三星Foundry没有透露其首先采用其7LPP制造技术的客户名称，可能需要扩展其EUV容量。7LPP制造技术可以减少40%的面积(同样的复杂性)，PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解决方案。” 三星电子代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae说。7LPP得到了众多三星高级代工生态系统(SAFE)合作伙伴的支持，