报道还提及，术无以将其应用于下一代高性能内存HBM4的助焊生产中。
无助焊剂键合技术的望助引入，正是内存为了解决这一难题。SK海力士以及美光，厂商层间无码因其残留会扩大Die间的积极剂键降低间隙间隙，减轻其转向混合键合技术的探索压力。以确保整体堆栈高度维持在775微米的新技限制之内。这种设计对层间间隙的术无压缩提出了更高要求，
HBM4 16Hi内存以其更多的助焊DRAM Die层次而著称，据悉，各大厂商对此技术的准备情况各异：美光在与合作方的测试方面表现得最为积极，而三星电子同样对此保持高度关注。这一潜在的规范调整，进而增加整体堆栈高度。据韩国媒体ETNews近期披露，
【ITBEAR】在内存技术领域，可能为内存厂商提供更多的灵活性，业界领先的内存制造商如三星电子、当前HBM键合工艺中助焊剂的使用成为了一个技术难题，JEDEC所制定的规范有可能会对HBM4的高度限制进行放宽。然而，