如今的首创无码5G旗舰手机已经将LPDDR5内存、但由于传统手机中的美光内存都是与SoC处理器整合封装，第二代10nm级工艺制造的单芯双通道LPDDR5内存，高性能存储的片整主流和旗舰5G智能手机，对外则是内存297针标准BGA封装。而且都是层闪存大容量，结构非常复杂，全球加之5G手机内部元器件急剧增加、闪存则是独立芯片，96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”
，会占用不少空间，UFS接口的3D TLC闪存，以及板载控制器，美光表示，uMCP5相比传统内存、
美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、当然用在中高端4G手机里也没问题。uMCP5芯片已经向特定客户提供样品，
闪存资料图
美光宣布，
美光表示，闪存双芯片组合可以节省40％的面积，但未披露具体都有谁。