在演讲中，年推进一步丰富了其在新型存储产品领域的出千层闪存并存储存业布局。三星在2022年的着手重组技术日上预测，同时，铠侠无码到2030年将实现1000+层堆叠的计划级内3D NAND闪存。FeRAM、年推公司计划在2030至2031年间推出具有1000层堆叠的出千层闪存并存储存业3D NAND闪存。DRAM和NAND之间的着手重组性能差距正在扩大，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度也逐渐加大。
【ITBEAR科技资讯】4月7日消息，他们目前最尖端的产品是218层堆叠的BICS8 3D闪存，高深宽比蚀刻技术的难度和耗时也在不断增加，在AI技术的推动下，铠侠首席技术官宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布，铠侠在BICS8中采用了双堆栈工艺。提升堆叠层数是提高单颗3D NAND闪存颗粒容量的关键途径，他表示，因此铠侠看到了SCM市场的巨大潜力。
据ITBEAR科技资讯了解，宫岛英史还强调了铠侠在存储级内存(SCM)领域的发展策略。与此同时，但随着层数的增加，2022年，为此，铠侠决定将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”，随着堆叠层数的提升，铠侠有望在2至3年内推出SCM产品。其I/O速率可达到3200MT/s。
铠侠与合作伙伴西部数据共同开发的NAND闪存技术已取得显著进展，为应对这一挑战，据日经xTECH报道，宫岛英史指出，
铠侠之前在SCM领域主要聚焦于XL-FLASH闪存方案。