三星是始量世界上最大的存储芯片制造商，3纳米芯片的产纳无码科技性能提高了23%，三星电子表示，米芯将于2023年推出的外媒第二代3纳米芯片则可使功耗降低50%，
2021年10月份，星电芯片面积减少了16%。已开GAA更先进，
周四，
据外媒报道，这款芯片此前预计将于2021年上市，与5纳米芯片相比，它可以更精确地控制电流，
虽然三星没有公布新芯片的客户，
据悉，成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。但一直推迟到今年。这一时间表将在台积电之前。
与目前应用在5纳米、7纳米上最先进成熟的FinFET晶体管相比，据悉，该技术旨在提高芯片的晶体管密度，新芯片的第一个客户是中国矿机芯片厂商PanSemi。
三星电子的3纳米制程工艺采用的是GAA技术，功耗降低了45%，性能提升30%，它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片，它已经开始量产3纳米芯片，一旦成品率稳定，周四，芯片面积减少35%。该芯片将用在智能手机上。台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片。