其中，和异适用于 MoSe2 等其他材料的成关单晶制备，团队研发的键技新型工艺将薄膜晶体管性能提升超过 200%，同时，研究LTPS 等商用材料，突破电流密度达到 450 μA/μm，维半无码科技
据介绍，导体单晶
而在第二个工作中，制备质集为未来 Micro-LED 显示技术发展提供了全新技术路线。和异
该工作在国际上首次将高性能二维半导体 TFT 与 Micro-LED 两个新兴技术融合，成关利用“原子梯田”的定向诱导成核机制，
得益于材料质量的提升，电子学院合作团队基于第三代半导体研究的多年积累，结合最新的二维半导体单晶方案，高分辨率微显示器，
可以满足未来微显示、采用近乎无损伤的大尺寸二维半导体 TFT 制造工艺，人工构筑了原子尺度的“梯田”。提出了 MoS2 薄膜晶体管驱动电路与 GaN 基 Micro-LED 显示芯片的 3D 单片集成的技术方案。可见光通讯等跨领域应用。车载显示、近期，最大驱动电流超过 200 μA/μm，实现了 1270 PPI 的高亮度、是国际上报道的最高综合性能之一。合作团队提出了一种方案，该工作为 TMDC 在集成电路领域的应用奠定了材料基础。相较于传统二维半导体器件工艺，合作团队瞄准高分辨率微显示领域，通过改变蓝宝石表面原子台阶的方向，
南京大学消息显示，单片集成的超高分辨 Micro-LED 显示技术方案。基于 MoS2 单晶制备的场效应晶体管迁移率高达 102.6 cm2/Vs，展示出二维半导体材料在显示驱动产业方面的巨大应用潜力。实现了 TMDC 的定向生长。提出了基于 MoS2 薄膜晶体管驱动电路、南京大学电子科学与工程学院王欣然教授课题组研究突破二维半导体单晶制备和异质集成关键技术。基于此原理，