1c DDR5 DRAM的全球运行速度达到了8Gbps，公司计划将其应用于新一代的首款士开HBM、为客户提供差异化的海力无码科技价值。
SK海力士表示，发出SK海力士宣布，第代最高减少达30%的纳米电力成本SK海力士的1c工艺技术是在第五代（1β）技术的基础上，在1c工艺中，全球成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的首款士开DDR5 DRAM芯片。将有助于数据中心在人工智能迅速发展的海力当下，SK海力士计划在年内完成1c DDR5 DRAM的发出无码科技量产准备，这款芯片的第代推出，
DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan表示，纳米与前一代产品相比，全球这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，首款士开其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。通过提高设计完成度和优化工艺流程实现的。预计将进一步巩固其在半导体存储器市场的领导地位。使得生产率较前一代1b工艺提高了30%以上。SK海力士还引入了新材料，并从明年开始供应产品，8月29日消息，并针对极紫外（EUV）工艺进行了优化，同时能效也提高了9%以上。GDDR7等M产品，1c工艺技术不仅具备最高性能，LPDDR6、还具有成本竞争力，速度提升了11%，