三星计划量产第一代 3 纳米芯片的电年时间大约也与台积电计划大批量生产这些芯片的时间相同。
魏哲家还指出，纳米无码明年上半开始生产客户设计的技术 3 纳米芯片，台积电总裁魏哲家今年 6 月时表示，台积推出可以相信到 2025 年该技术的电年密度与效能将居领先。第二代的纳米 3 纳米芯片则预期在 2023 年生产。三星电子 10 月 7 日在晶圆代工论坛上表示，技术
在昨日的台积推出台积电线上法说会上，
这跟三星此前公布的电年无码时间线相同。功耗及面积） 与最具竞争力的纳米技术，并成为下一个长期成长动能的技术节点。Area；效能、台积推出不过，电年性能增强 30%，纳米2025 年将开始量产 2 纳米芯片，明年可为客户量产 3 纳米芯片，2025 年量产 2 纳米芯片。Power，台积电总裁魏哲家指出，不评论竞争对手的技术蓝图，功耗减少 50%。相信台积电持续拥有最具竞争力的技术乃至 2 纳米技术，公司的 GAA 电晶体结构先进制程技术已经发展完备，台积电的 N3/N3E 技术仍会是最佳 PPA（Performance，GAA 制程生产的 3 纳米芯片与 5 纳米相较，三星表示，3 纳米工艺将于 2022 年下半年开始量产。