据透露，器硅成为未来先进工艺的光I革新无码重要发展方向。甚至可能在未来出现芯片内冷却方案。内存
英伟引领这些模块通过垂直连接方式，达构堆叠对硅光子器件的加速技术产能要求极高，尽管这一设想令人振奋，需要采用更先进的材料和技术，
垂直芯片堆叠所带来的热效应也是一个亟待解决的问题。与此同时，为了克服这一挑战，它超越了现有电气I/O的带宽和能效限制，只有当英伟达能够确保每月生产超过100万个硅光子连接时，AI加速器复合体将基于大面积先进封装基板构建，还显著提升了能效。同时整合了硅光子I/O器件。他预计，因此，这种创新的设计思路旨在确保AI加速器复合体在高性能运行的同时，具有更短的信号传输距离，由于英伟达AI GPU订单的庞大需求，并且每个GPU模块都配备了三组硅光子I/O器件。为了应对这一挑战，
英伟达近期描绘了一幅未来AI加速器复合体的宏伟蓝图，这种高度集成的设计也带来了挑战，从而能够支持更多I/O引脚和更高的每引脚速率。
然而，保持稳定的温度控制。这一AI加速器复合体的实现仍需时日。在这个设想中，与六个小型DRAM内存模块紧密相连，特别是发热问题。这种设计不仅提高了数据传输带宽，采用革命性的垂直供电设计，3D垂直堆叠的DRAM内存方案相较于当前的2.5D HBM方案，
硅光子I/O器件的应用是这一蓝图中的亮点之一，