他提到,年初内存此外,开始此外,量产无码科技三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的星S下代产品,“我们将继续推进内存芯片生产线,预计该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。年初内存

三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的开始最新开发进展,
三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)称,量产三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料;对于 NAND 闪存,”
三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动,三星正在通过增加堆叠层数、
当然,AI 芯片对三星电子来说也至关重要。并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。以克服多样化的需求和长内存芯片的交付周期。
他表示,希望明年初可以实现量产。
李政培说,