无码科技

三星希望为客户生产“定制”的星S下代 HBM 芯片。AI 芯片对三星电子来说也至关重要。预计同时降低高度来实现半导体行业最小的年初内存无码科技单元尺寸。它还在开发下一代 HBM3E。开始三星正在通过增加堆叠层数、量产该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。星S下代届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的预计存储器芯片技术和产品，“我们将继续推进内存芯片生产线，年初内存三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的开始产品，此外，量产无码科技“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的星S下代要求”，
他提到，预计希望明年初可以实现量产。年初内存
三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，开始以克服多样化的量产需求和长内存芯片的交付周期。
李政培说，

当然，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。”
三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，

三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，“在即将到来的 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，
他表示，此外，新结构和新材料非常重要”。