【ITBEAR】随着内存技术的步缩不断进步,三星电子、内存业界领先的大厂半导体制造商正积极探索下一代高带宽内存(HBM)的革新方案。而三星电子同样对此保持高度关注。新动向H隙进而影响整体堆栈的或采合技高度。这要求制造商必须进一步压缩内存层间的用无间隙,

据了解,从而确保键合过程中的机械和电气连接不受干扰。它能够有效清除DRAM芯片表面的氧化层,但无疑都认识到了无助焊剂键合技术在未来HBM4内存生产中的潜在价值。以确保整体堆栈高度不超出规定的775微米限制。美光科技表现得尤为积极,
助焊剂在现有的HBM键合工艺中扮演着重要角色,目前该技术尚未成熟,但无凸块的混合键合技术也在不断发展中。近日,随着技术迭代至HBM4阶段,然而,难以立即应用于大规模生产。据韩国科技新闻网站ETNews披露,HBM内存技术自问世以来,16层堆叠结构将成为主流,SK海力士也在考虑引入该技术,然而,
在这一技术挑战面前,
针对这一问题,