DRAM内存芯片领域同样传来好消息。中国15纳米DRAM内存也即将面世，芯片这一趋势预示着，技术美国想要维持其在芯片行业的大突大领无码霸主地位将愈发艰难。中国芯片产业并未止步不前。破美美国的国封禁令主要聚焦于三大核心芯片技术：逻辑芯片、其技术层次已高达294层，
分析人士指出，而专业机构TechInsights则透露，近期，2024年中国芯片出口金额已超过1.1万亿元人民币，外媒拆解的长存最新NAND闪存芯片发现，
随着中国芯片产能的不断扩张和技术的持续突破，
然而，并将其应用于最新的DDR5内存中。长鑫存储已完成16纳米制程技术，中国芯片产业已经具备了在核心领域与国际顶尖技术竞争的实力。DRAM内存芯片则目标锁定在18纳米，面对美国的严密封锁，中国厂商长存更是全球首家实现232层NAND闪存芯片量产的企业。美国在逻辑芯片领域试图将中国封锁在14纳米工艺以下，为了遏制中国在这一关键领域的进步，中国长鑫存储正在积极研发16纳米DRAM内存芯片。美国开始感受到前所未有的竞争压力。预计将于2025年实现量产。甚至可能更为先进。
具体而言，创下历史新高。美国在全球芯片行业的霸主地位备受瞩目。中国在三大核心芯片技术方面均取得了显著进展。但这一差距正在迅速缩小。而NAND闪存芯片则力求限制在128层技术以下。
这一系列技术突破表明，这些技术占据了全球芯片市场的绝大部分份额，
NAND闪存芯片方面，DRAM内存芯片以及NAND闪存芯片。虽然与国际最先进技术相比仍存在一定差距，尽管具体数据未公开，但业内普遍认为中国已经掌握了至少7纳米级别的技术，这些措施旨在阻碍中国在这些关键技术上的进一步突破。据韩媒报道，在逻辑芯片领域，相反，有效层数也达到了232层，美国采取了一系列打压措施。
近年来，