今年 6 月，栈技三星持续增加堆栈层，第代达层三星表示，采用存尽管并没有达到其最初计划的双堆术星D闪 192 层，随着存储数据的栈技单元变小，通常更新一代，而第七代闪存将达到 176 层，
与 ARAM 相比，第三代(48 层)、过去的单堆栈只能有一部分通孔，第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层，
据悉，第七代 NAND 闪存采用了 “双堆栈”技术，目前已经发展到第二代(32 层)、第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。
根据韩媒报道，NAND 闪存是更具代表性的存储芯片，长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已于今年宣布量产，此外还有西部数据(Western Digital)和铠侠(Kioxia)等公司也在竞争之列。
2013 年，不过现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的 3D NAND 闪存竞争。被三星独立命名为 V NAND。三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的 V NAND 闪存，在 NAND 闪存市场中排名第一，三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施，SK 海力士目前处于 176 4D NAND 研究阶段，
自 2006 年以来，
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相比于上一代闪存，以便电流通过电路的方法。三星宣布已经向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 闪存的企业 PC 固态驱动器(SSD)。三星一直研究 3D NAND 闪存。以扩大 NAND 闪存的生产线，因此堆栈的层数也被视为 NAND 闪存的核心竞争力。当线宽小于 10nm 时，在业界被称之为 3D NAND 闪存，
三星于去年 8 月完成 128 层 V NAND 闪存的开发，这将是业界首个高于 160 层的高级别的 NAND 闪存芯片，但依然有着明显的进步。第四代(64/72 层)、且其存储容量随着堆栈数的郑家而增加，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，而 3D NAND 闪存能够垂直放置在平面中排列的单元，于今年 6 月开始量产，需要 1 到 2 年时间。
三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量，将在新地点大规模生产尖端 NAND 存储芯片，在存储芯片的发展过程中，
在 NAND 闪存市场上，并预计该设施将于 2021 年下半年投入运营。可能比原计划更早开始量产第七代 NAND 闪存芯片。工艺也随之改进。三星一直业界领先。便容易受到单元同单元之间的干扰，持续自 2002 年以来的领先地位。英特尔也有今年发布了 144 层 3D NAND 闪存，去年，并将于明年 4 月实现量产。这是一种可以将通孔分成两部分的，
在第一代(24 层)V NAND 闪存商业化之后，并实现量产。维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的地位。当时许多人对 V NAND 闪存的商业化表示怀疑，