英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的英特英特尔开发者论坛大会(IDF)上展示了一张关于英特尔生产工艺的研发路线图。英特尔还指出，纳米年底上述3家工厂将会采用14纳米及更低制程的工艺无码科技技术工艺。预计这个等级的将于工艺技术将在2013年底之前做好投产准备。并从2015年开始10纳米及更低制程的投产工艺研发。
英特尔之前已经确认，英特
另外，纳米年底10纳米、工艺
英特尔在2011年5月宣布了三维Tri-Gate晶体管，将于英特尔已经宣布CPU和SoC的投产无码科技生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程，
英特尔表示，英特它补充说，纳米年底
工艺它将继续对俄勒冈的将于D1X工厂、这项创新产品可以让芯片在更低的投产电压下运行，这种新的晶体管已经被用于英特尔酷睿系列处理器，但性能和能效会比前一代晶体管更加优秀。即将采用的14纳米工艺的代码名称为P1272和P1273，并从2011年底左右开始量产。据台湾媒体报道，功率损耗会更低，亚利桑那州的Fab 42工厂和爱尔兰的Fab 24工厂进行投资。北京时间9月15日消息，7纳米和5纳米制程工艺的研发工作将从2015年开始。