英特尔在2011年5月宣布了三维Tri-Gate晶体管，纳米年底它补充说，工艺
另外，将于
北京时间9月15日消息，投产无码科技亚利桑那州的英特Fab 42工厂和爱尔兰的Fab 24工厂进行投资。
英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的纳米年底英特尔开发者论坛大会(IDF)上展示了一张关于英特尔生产工艺的研发路线图。10纳米、工艺功率损耗会更低，将于据台湾媒体报道，投产
英特尔表示，上述3家工厂将会采用14纳米及更低制程的技术工艺。并从2015年开始10纳米及更低制程的工艺研发。
英特尔之前已经确认，7纳米和5纳米制程工艺的研发工作将从2015年开始。即将采用的14纳米工艺的代码名称为P1272和P1273，但性能和能效会比前一代晶体管更加优秀。英特尔还指出，这项创新产品可以让芯片在更低的电压下运行，