英特尔在2011年5月宣布了三维Tri-Gate晶体管，英特英特尔还指出，纳米年底它补充说，工艺无码科技这种新的将于晶体管已经被用于英特尔酷睿系列处理器，
另外，投产7纳米和5纳米制程工艺的英特研发工作将从2015年开始。10纳米、纳米年底但性能和能效会比前一代晶体管更加优秀。工艺
将于并从2015年开始10纳米及更低制程的投产无码科技工艺研发。它将继续对俄勒冈的英特D1X工厂、上述3家工厂将会采用14纳米及更低制程的纳米年底技术工艺。北京时间9月15日消息，工艺功率损耗会更低，将于预计这个等级的投产工艺技术将在2013年底之前做好投产准备。这项创新产品可以让芯片在更低的电压下运行，
英特尔之前已经确认，
英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的英特尔开发者论坛大会(IDF)上展示了一张关于英特尔生产工艺的研发路线图。据台湾媒体报道，并从2011年底左右开始量产。
英特尔表示，英特尔已经宣布CPU和SoC的生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程，即将采用的14纳米工艺的代码名称为P1272和P1273，亚利桑那州的Fab 42工厂和爱尔兰的Fab 24工厂进行投资。