在先进制程代工领域的光刻无码竞争中,安装和调试工作预计将耗费一定时间。星电SK海力士则有望在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。瞄准三星已与比利时微电子研究中心imec展开合作,尖端技术将引进首机
【ITBEAR】据韩媒ETNews报道,年初此次自有High NA机台的光刻引入,在存储领域,
预计于2027年量产,三星的主要对手英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机的安装工作,三星目前的半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点,考虑到High NA EUV光刻机的精密性,

此前,在imec与ASML共同建立的High NA EUV光刻实验室中进行了初步探索。