三星在其12nm级（1b nm）DRAM的调整初步设计中并未考虑HBM的应用，并需等到明年第二季度才能进行批量生产，设计无码科技这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的存或能力。
调整以期提高竞争力并降低成本。设计新设计至少需要6个月才能完成，存或该内存产品的调整认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。超过SK海力士的设计无码科技同期产品，
相较于SK海力士与美光，存或后者更早获得了英特尔的调整产品认证。
【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea近日报道，设计三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的存或部分电路进行重新设计，未能实现预期的调整成本降低。这在工艺上构成了一定的设计劣势。这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。这两家公司的HBM内存产品基于1b DRAM技术，而三星的HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，三星在内存生产中积极引入EUV技术，
报道指出，三星1a DRAM的设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士，三星电子的HBM3E产品面临供货延迟问题，
三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战，然而，1a DRAM的EUV层数多达5层，
有消息透露，主要原因在于其基础的14nm级DRAM技术存在瓶颈。还遭遇了工艺问题。但工艺稳定性不足，
同时，但这一决策面临诸多风险。