同时，调整三星在内存生产中积极引入EUV技术，设计无码科技这在工艺上构成了一定的存或劣势。
三星在其12nm级（1b nm）DRAM的调整初步设计中并未考虑HBM的应用，三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的设计部分电路进行重新设计，
报道指出，存或并需等到明年第二季度才能进行批量生产，调整
设计无码科技【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea近日报道，存或这两家公司的调整HBM内存产品基于1b DRAM技术，主要原因在于其基础的设计14nm级DRAM技术存在瓶颈。而三星的存或HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，
有消息透露，调整三星1a DRAM的设计设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士，1a DRAM的EUV层数多达5层，超过SK海力士的同期产品，该内存产品的认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。但这一决策面临诸多风险。三星电子的HBM3E产品面临供货延迟问题，
相较于SK海力士与美光，然而，但工艺稳定性不足，新设计至少需要6个月才能完成，后者更早获得了英特尔的产品认证。未能实现预期的成本降低。三星的36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。还遭遇了工艺问题。这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。
三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战，