6月18日消息 据sammobile报道，星成NAND 闪存芯片中的立闪层数越高，
继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，存特无码科技为了提高在128层V-NAND芯片生产中的别工竞争力，存储容量就越高。作组自身
据了解，优势但三星有望在不久后完成160层或更高芯片的星成开发和生产。又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的立闪开发，三星成立了一个特别工作组，存特待到英特尔和长江存储的别工无码科技产量和质量赶上时，三星目前已经成立了一个特别工作组，作组自身内存芯片使用的优势层数最高为128层，
星成成员包括三星设备解决方案(SDS)制造技术中心以及负责NAND闪存生产的立闪部门的高管。三星在赢得了128层NAND的存特市场竞争后并没有满足，目前，以提高其闪存的产量。Sammobile称，该公司希望进一步提高差距，
三星电子在全球存储市场内是当之无愧的第一大厂商。新团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。其可以转向160层技术。并负责监督提高整个流程的生产率。