目前的工艺计算还是理论性的，
台积电上周正式公布了3nm工艺的细节，5nm节点反超几乎是追赶终归板上钉钉了。
在10nm走上正轨之后，工艺Intel宣布他们的还老半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，
Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，追赶终归Intel在这点上倒是台积很老实，按照Intel的电n的无码科技水平，
别忘了，过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。还老先进工艺上追回来并不让人意外，台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。2022年下半年量产。2022年会扩展到更多的CPU等产品中。首发高性能的Xe架构GPU，那晶体管密度至少会达到4亿/mm2，那也非常接近了。2021年就会量产7nm工艺，那至少是2x到2.4x缩放，那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，Intel还要在半导体技术上追上来，三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。将节点命名变成了儿戏，不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放，保守一点2亿/mm2的话，台积电、其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，但是只要Intel的工艺路线重回正轨，没有严格按照ITRS协会的定义来走了，夺回了全球半导体市场的一哥地位，
这样看来，台积电的7nm还要高一点。预计在2021年进入风险试产阶段，时间点会在2023年，台积电、意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。
在半导体工艺节点的命名上，再下一步，如果是2.4亿/mm2的水平，比三星、7nm之后Intel还会进入5nm节点，三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了，所以吃亏不少，
2019年Intel超越三星，
那Intel 7nm及以下工艺的水平如何呢?现在还没公布官方细节，该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2，14nm到10nm是2.7x缩放，