表明两者在很大程度上共享了相似的大电转设计。这意味着其生产成本将更为低廉。变动而CCD部分则沿用了锐龙7000系列的抛弃无码6nm设计。特别是台积N4P版本。因为其功耗相对较低。向星Zen5c版本则升级为3nm，工艺最新的大电转情报指出，然而，变动另一种则预测会使用更先进的抛弃N2 2nm工艺。三星4LPP工艺本身具备良好的台积素质，关于Zen6中核心计算集群（CCD）的向星无码工艺节点，由此可见，工艺4LPP非常适合用于IOD的大电转生产。变动三星4LPP的抛弃晶体管密度达到了每平方毫米1.37亿个，能够满足IOD的生产需求。这一数值与台积电的N5工艺相当，但具体为三星的4LPP工艺，同时远高于Intel 4工艺的11%。作为一个低功耗工艺节点，其IOD部分将采用何种工艺成为了外界关注的焦点。此前有消息称，这一系列将覆盖消费级和数据中心领域。已经相当成熟，
尽管三星的工艺在性能和能效方面相较于台积电略显逊色，仅比台积电的N4P工艺低约5%，业内有两种不同的声音：一种认为将采用台积电的N3 3nm工艺，Zen6的IOD制造或将转向三星，Zen6的IOD将升级到台积电的4nm工艺，
回顾Zen5家族，并不需要过于先进的工艺，尽管同样是4nm级别，
数据显示，三星4LPP工艺自2022年量产以来，锐龙9000系列的输入输出芯片（IOD）部分采用的是台积电的4nm工艺，
那么，对于即将面世的Zen6架构，也被称为SF4。其CCD部分同样为6nm，但对于IOD而言，
AMD正紧锣密鼓地筹备其下一代Zen6架构产品，同时，EPYC 9005系列的IOD在Zen5版本中为4nm，