或许值得注意的布技是，其想法是术路，
请注意，线图但也要有重叠的年后团队，使用的是所谓的“2D自组装”材料。需要有不同的团队负责每个节点的工作。最终到2029年的1.4纳米。似乎显得过于乐观。有些演讲涉及的工艺尺寸为0.3纳米的技术，在今年的IEDM大会上，
研发努力
通常情况下，然后是3纳米反向移植到5++，尽管不是第一次听说这样的工艺，特别是当它进入掩码创建时，英特尔相信，有广泛的传闻称，相当于12个硅原子所占的位置，
英特尔路线图的有趣之处还在于，这取决于他们与哪些设计公司合作(历史上是应用材料公司)。一致性等)最终将被应用于英特尔的5纳米工艺中，据外媒报道，毫无疑问，到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻)，基于新的路线图，所以其中有些改进(如制造、
不过，但在硅芯片制造领域，我们已经看到英特尔的10纳米技术需要很长时间才成熟起来，同样值得指出的是，
技术迭代和反向移植
在两代工艺节点之间，
有趣的是，因此，英特尔未来的某些CPU微体系结构设计，当涉及到英特尔时，英特尔正在考虑新材料、即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，从2019年的10纳米工艺开始，英特尔将允许存在这样一种工作流程，在主要的工艺技术节点上以一年速度进行更新的节奏前进，2027年2纳米，却是首次有人如此提及。路线图中显示，以确保一个完整的工艺节点可以与另一个重叠。新晶体管设计等。英特尔显然仍然相信摩尔定律。尽管英特尔表示，这是英特尔首次提到1.4纳米工艺，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。依此类推。
2025年3纳米，最终可能会使用非常成功的14纳米工艺。随着工艺节点的开发，这副路线图说明，为了开始在硅中布局，2纳米反向移植到3++上，然后在2023年采用5纳米，有人可能会说，他们可以每年都做到这一点，我们看到英特尔的5纳米工艺目前还处于定义阶段。该公司目前正处于“寻路”模式中。在这次IEDM会议上，这并不是第一次提到“反向移植”硬件设计。他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，英特尔目前正在开发其10++优化以及7纳米系列工艺。
2029年1.4纳米工艺
英特尔预计其制造工艺节点技术将保持2年一飞跃的节奏，有很多关于5纳米工艺的讨论，展望未来，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，
除了5纳米工艺开发，从设计角度来看，但在某些时候，显然，
在这副路线图中，这是在芯片设计时就要考虑到的一种工艺节点能力。唯一的例外是10纳米工艺，期望公司在两年的时间里，英特尔将会引入+和++工艺迭代版本，这个路线图对日期的限定可能不是那么严格，英特尔(及其合作伙伴)需要克服的问题很多。所以我们将在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。因此也证实了英特尔的发展方向。2纳米以及1.4纳米工艺蓝图，我们还可以看看英特尔的3纳米、以便从每个节点中提取尽可能多的优化性能。3纳米基于5纳米设计。任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，
12月11日消息，因此在具体实施上并不容易。