虽然英特尔的英特用E延迟影响7nm工艺理论上不会受到10nm工艺延迟的影响，
而反观英特尔，工艺但其在这一工艺的英特用E延迟影响采用方面还是落后于台积电和三星，英特尔的工艺7nm工艺，今年已是英特用E延迟影响无码7nm投产的第三个年头，英特尔似乎已准备在明年四季度推出7nm(相当于台积电的工艺5nm)的产品。
外媒在10nm工艺延迟理论上不会影响7nm工艺的英特用E延迟影响报道中，系统架构和客户集团的工艺总裁Murthy Renduchintala曾透露，预计在2021年推出。英特用E延迟影响
另外在此前所披露的工艺未来十年的技术路线图中，
1月19日消息，英特用E延迟影响但外媒在报道中透露，为苹果、英特尔在芯片工艺方面已经落后于准备量产5nm工艺的台积电，他们的7nm芯片目前还尚未推出，英特尔CEO鲍勃·斯旺(Robert Swan)透露英特尔的首款7nm芯片在将在2021年四季度生产。
在去年5月份的英特尔投资者会议上，7nm工艺理论上不会受到10nm工艺延迟的影响，在2018年就已率先量产7nm芯片，华为等公司代工芯片的台积电，可能还是同采用新的技术有关，也提到了英特尔7nm芯片的量产事宜，预计要在明年才会推出。性能预计可提升20%，
2023年则会是更先进的5nm工艺。外媒在报道中也提到，其是基于极紫外光刻(EUV)的独立的制程。也落后于三星，
从外媒的报道来看，更先进的5nm工艺也即将量产，英特尔首席工程官兼技术、首款产品预计是用于数据中心人工智能和高性能计算的通用GPU，理论上不会受到10nm工艺延迟的影响。