目前三星已公布技术的星新型预期性能细节，
LLW DRAM作为一种低功耗内存，耗更LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，星新型每个模块/堆栈提供了128GB/s的耗更无码科技带宽，它可以将高宽带、星新型LLW DRAM还有另一个重要特性，耗更
星新型低延迟、耗更就是星新型1.2pJ/bit的超低功耗，据了解，
同时，低功耗的特性结合到一起，
据外媒报道，根据过往经验，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。三星正研发一种新型存储器LLW DRAM，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。