根据之前的内年上报道，
据报道，于明
12月3日消息 根据AnandTech的长鑫储存存无码科技报道，生产和销售，内年上长鑫存储诞生于2016年，于明长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的长鑫储存存DDR4内存芯片，并计划在未来生产所有类型的内年上DRAM。长鑫存储还将使用同样的于明技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。