12月3日消息 根据AnandTech的长鑫储存存报道，长鑫存储还将使用同样的内年上技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。目前，于明无码科技长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。长鑫储存存目标是内年上在2020年第一季度上市。
根据之前的于明报道，
长鑫储存存长鑫存储诞生于2016年，内年上长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。于明长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的长鑫储存存无码科技DDR4内存芯片，LPDDR4X、内年上DDR5和LPDDR5内存。于明并计划在未来生产所有类型的长鑫储存存DRAM。不仅如此，内年上目前，于明该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、
据报道，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、目前已建成第一座12英寸晶圆厂。生产和销售，