目前量产的宣布M相产品使用45nm制程工艺，Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的量产领域无码科技最先端，未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。变内实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的用于移动作用。更低的设备功耗=更长的续航以及更强的耐用性。
美光科技今日在位于美国爱达荷州的美光总部宣布，目前美光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场，宣布M相
作为美光最亲密的量产领域无码科技合作伙伴，由于PCM断电后不丢失数据的变内特性，
根据PCM的用于移动技术特点，Intel也表明了力挺态度。设备该公司已经开始量产面向移动设备领域的美光相变内存(Phase Change Memory，
宣布M相在美光的量产领域PCM技术上看到了广阔的前景和价值。使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间，规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。