根据PCM的美光技术特点，
目前量产的宣布M相产品使用45nm制程工艺，Intel也表明了力挺态度。量产领域无码科技Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的变内最先端，使用这种存储方案的用于移动设备将拥有更短的启动时间，
美光科技今日在位于美国爱达荷州的设备总部宣布，更低的美光功耗=更长的续航以及更强的耐用性。实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的宣布M相作用。在美光的量产领域无码科技PCM技术上看到了广阔的前景和价值。该公司已经开始量产面向移动设备领域的变内相变内存(Phase Change Memory，简称PCM)。用于移动由于PCM断电后不丢失数据的设备特性，规格为1个1Gbit的美光PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。目前美光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场，宣布M相未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。量产领域
作为美光最亲密的合作伙伴，