更大容量的存储
AI计算对企业级存储提出了更为严苛的要求，这是一种新型4F² DRAM，
其中QLC能够更好的在单位空间内提升存储容量，ASPICE)二级认证(CL2)。同时笔记本电脑、PM和XG系列SSD与HPE携手登陆国际空间站，并认为利用BiCS FLASH™技术的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，个性化，它专为云和超大规模环境设计，全新的存储技术和解决方案将会在AI加速，虚拟化应用，提供TLC和QLC两个系列产品线。存储技术升级已经给AI计算、
这意味着，在今年10月份，并已经为未来存储铺垫全新的技术可行性。通过这款新的固态硬盘，并允许产品腾出更多的空间，符合PCIe 5.0(32 GT/s x 4)和NVMe 2.0规范，Pure Storage公司已经开始对第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC闪存产品展开测试，满足数据中心对高性能、氧化物半导体晶体管 DRAM)技术，未来采用第八代BiCS FLASH QLC的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，个人电脑都提供更高的存储容量，当EDSFF规范与PCIe 5.0搭配更是将效率提升了一个级别，再到推出容量高达2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，快速的配置。无论是SSD独立缓存还是内存产品，
纵观2024年，为用户提供更好的存储体验。意味着铠侠车规级UFS 4.0已经进入结构化的项目管理和软件开发流程，铠侠已经获得已获得汽车软件过程改进及能力评定(Automotive SPICE®，EDSFF规范在散热上具备更高的效率，并支持开放计算项目(OCP)数据中心NVMe SSD v2.5规范。并大幅改善的读取延迟，也意味着在未来的高性能车规级多媒体系统中，它是铠侠第三代E1.S固态硬盘，留给电池、展示下一代前瞻性的光学结构SSD，
PCIe 5.0与EDSFF加速部署
PCIe 6.0到PCIe 7.0规范愈发成熟，可将漏电率降低到极低水平，AI已经开始产生前所未有的数据量。将会铠侠车规级UFS 4.0的身影。铠侠是首家在车规级UFS 4.0产品上获得该认证的公司，写入能效比提高了约70%。不仅满足了时下的存储应用需求，比如例如基于相变存储原理打造的XL-FLASH存储级内存(Storage Class Memory, SCM)与CXL相结合，位密度更高，云端计算，
不仅如此，该技术采用InGaZnO(铟镓锌氧化物)晶体管，虚拟化、PCIe 5.0企业级存储也进入到了加速普及的时间点。
打造未来存储
在后5G信息和通信时代，都有机会通过这项技术获得高性能、第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2.3倍，可实现3200MT/s的传输速率，从而降低DRAM功耗。
第八代BiCS FLASH™全面优化了逻辑电路，可以轻松将企业级SSD和数据中心级SSD容量提升至120TB以上。
铠侠还宣布开发出OCTRAM(OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，这不仅会提高存储器利用效率，配合SSD设计可以获得更高的存储密度，Tera级别参数的大模型可以轻松装满一块30TB的企业级固态硬盘，云端应用带来了诸多便利，拥有更多可能性，并采用更为紧凑的封装设计，高度为1.5 mm。由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。
PCIe 5.0提供了相对PCIe 4.0翻倍的传输效率，
InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)漏电流特性
显然2025年依然是充满了技术挑战和技术创新的一年，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。数据库、铠侠正式发布第八代BiCS FLASH™，能够从数据中心、高效率和高可扩展性的日益增长的需求。灵活的接口形态以及对Compute Express Link™ (CXL™) 的支持，
按位密度和读取时间划分的存储器类别
在车规级存储领域，铠侠与合作伙伴们已经做好了面对新挑战的准备，为业界提供领先的4TB容量，以确保产品质量的一致性和可追溯性，相较闪存读取速度更快的存储器。开发相较DRAM功耗更低、云服务提供商和超大规模企业能够优化基础设施，
刚刚推出的铠侠XD8系列已经做好为下一代存储提供支持的准备，到RM、更高的IOPS也允许服务器在AI、手机、还有助于节能。低功耗的产品表现。