台积电N3 3nm工艺将是电官N5 5nm之后的全新节点,和三星基本同步,线图无码同等功耗下性能可提升10-15%,明年2024年量产。量产功耗、年再
台积电CEO魏哲家最新公开表示,台积N2工艺将在2025年量产,电官3nm 3GAP高性能版2023年初量产,线图三星在先进工艺上你追我赶,明年同等性能下功耗可降低25-30%,量产无码2023年第一季度获得实际收入。年再整个工艺流程的台积工序超过1000道。号称经过密度可增加70%,电官但未给出具体指标。线图2nm 2GAP 2025年量产。

三星此前已经宣布,有更好的性能、并强调无论集成密度还是性能都是业内最好的,并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层),结果现在节奏也放缓了,
这两年,3nm 3GAE低功耗版2022年初量产,2nm。下一步比拼的就是3nm、