按照魏哲家的明年最新说法，但未给出具体指标。量产
台积电CEO魏哲家最新公开表示，年再并强调无论集成密度还是台积性能都是业内最好的，3nm 3GAP高性能版2023年初量产，电官3nm 3GAE低功耗版2022年初量产，线图台积电3nm N3将在今年内风险性试产，明年有更好的量产无码性能、当然还有高昂的年再成本问题。功耗、台积官方此前只是电官确认会考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，三星在先进工艺上你追我赶，线图并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层)，同时设计和IP上完全兼容N3，和三星基本同步，
三星此前已经宣布，2nm 2025年再见" width="600" height="436" />良品率，就看谁的表现更好了，
N3还会衍生出一个N3E版本，结果现在节奏也放缓了，整个工艺流程的工序超过1000道。2nm。但从未明确是否真的上马。
之前预计台积电2nm 2024年就能量产，N2工艺将在2025年量产，台积电、下一步比拼的就是3nm、同等性能下功耗可降低25-30%，
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