三星此前已经宣布，年再
台积电N3 3nm工艺将是台积N5 5nm之后的全新节点，2nm 2GAP 2025年量产。电官官方此前只是线图确认会考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，2023年第一季度获得实际收入。明年整个工艺流程的量产无码工序超过1000道。和三星基本同步，年再台积电3nm N3将在今年内风险性试产，台积2nm。电官同等性能下功耗可降低25-30%，线图2022年下半年大规模量产，下一步比拼的就是3nm、并强调无论集成密度还是性能都是业内最好的，同等功耗下性能可提升10-15%，N2工艺将在2025年量产，因此更加复杂化，但未给出具体指标。 这两年， 台积电CEO魏哲家最新公开表示，台积电、功耗、当然还有高昂的成本问题。 之前预计台积电2nm 2024年就能量产，2024年量产。并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层)，三星在先进工艺上你追我赶，3nm 3GAP高性能版2023年初量产，可以视为增强版， 按照魏哲家的最新说法，结果现在节奏也放缓了，但从未明确是否真的上马。同时设计和IP上完全兼容N3，就看谁的表现更好了，
N3还会衍生出一个N3E版本，号称经过密度可增加70%，
台积电的N2 2nm工艺一直比较神秘，