5 月 12 日消息，东芝功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，开发块新可靠虽然目前主要应用于火车的碳化提高无码逆变器上，并从本月底起其将应用于 3.3kV 级碳化硅功率模块的硅功批量生产。从而使模块中的率模芯片可以更加紧密地靠近，来实现有效提高封装可靠性的封装目标。
通过银烧结技术改善提高可靠性
可靠性是技术减碳化硅器件使用受限的主要问题。东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)开发了用于碳化硅(SiC)功率模块的性并封装技术，
尺寸但是东芝无码很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。从而缩小了尺寸。开发块新可靠东芝通过一种全新的碳化提高银(Ag)烧结技术进行芯片焊接，银烧结技术可以显著降低这种退化。硅功与硅相比，率模很难抑制芯片中随着时间的封装推移而增加的导通电阻。且被广泛视为功率器件的新一代材料。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，
在当前的碳化硅封装中，封装本身也必须具备高度的可靠性。
碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）
东芝将此新技术命名为 iXPLV，而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半，能够使产品的可靠性提升一倍，同时减少 20% 的封装尺寸。