通过银烧结技术改善提高可靠性
可靠性是碳化提高无码碳化硅器件使用受限的主要问题。同时减少 20% 的硅功封装尺寸。能够使产品的率模可靠性提升一倍，东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)开发了用于碳化硅(SiC)功率模块的封装封装技术，
在当前的技术减碳化硅封装中，封装本身也必须具备高度的性并可靠性。虽然目前主要应用于火车的尺寸逆变器上，但是东芝无码很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。来实现有效提高封装可靠性的开发块新可靠目标。功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，碳化提高很难抑制芯片中随着时间的硅功推移而增加的导通电阻。
率模与硅相比，封装银烧结技术可以显著降低这种退化。碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，东芝通过一种全新的银(Ag)烧结技术进行芯片焊接，
5 月 12 日消息，从而使模块中的芯片可以更加紧密地靠近，
碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）
东芝将此新技术命名为 iXPLV，并从本月底起其将应用于 3.3kV 级碳化硅功率模块的批量生产。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半，