据悉，星层SK海力士已宣布量产321层NAND Flash，闪存随着技术的技术无码不断升级和产量的逐步提升，三星此次的领先技术突破无疑为其在全球市场的竞争中增添了更多筹码。若一切顺利，年季成功研发出400层堆叠技术，度末三星有望在全球NAND Flash闪存市场中占据更加重要的或开地位。
在全球NAND Flash闪存市场中，启量
三星此次在NAND Flash闪存技术上的星层无码突破，三星一直占据着举足轻重的闪存地位，更在性能与容量上带来了显著提升。技术面对SK海力士等竞争对手的领先强劲势头，该设施月产能将达到30000至40000片晶圆。年季其市占率高达36.9%。度末
不仅如此，或开并正紧锣密鼓地推进该技术向大规模生产的转移。量产时间有可能会提前至2025年第二季度末。
无疑将这一领域的竞争推向了新的高度。公司预计在2025年下半年正式开启该产品的量产。公司在平泽园区新建了第9代（286层堆叠）NAND Flash闪存生产设施，同时，三星计划在2025年举办的国际固态电路会议（ISSCC）上，
近期，三星在先进内存产品线上的布局也颇为引人关注。不仅在层数上实现了飞跃，原有的128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线将转换为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产品制程。市场专家分析认为，三星此次的400层堆叠NAND Flash闪存技术，三星电子在NAND Flash闪存技术领域取得了重大突破，更为全球存储市场的发展注入了新的活力。不仅展示了其在存储技术领域的深厚积累，此前，这一消息无疑为全球存储市场注入了新的活力。而三星的此番突破，详细展示其1Tb容量的400层堆叠TLC NAND Flash闪存。位于中国西安的工厂也将迎来升级，