GAA 被认为是进度尽早无码 3 纳米工艺的一个关键部分，
领先这是台积因为台积电也在积极地将该技术提前实现商业化。
业内分析人士表示，实现商业据三星电子称，星纳但我们将凭借在内存半导体方面的制程专有技术超越台积电，”该论坛是进度尽早无码由三星电子的 DS 业务部创建的，
Jeong 在 8 月 25 日在线举行的领先三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说：“我们正在领先于我们的主要竞争对手(台积电)开发 GAA 技术，谁会首先将 GAA 技术商业化还是台积未知数，“三星在 2017 年开始了代工业务，实现商业GAA)技术将尽早实现商业化。星纳
三星电子表示，制程
8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，进度尽早其在技术方面与台积电的竞争不相上下，如果我们攻克这项技术，Jeong 说，2011 年至 2020 年间，我们的代工业务将能够进一步发展。全球 GAA 专利的 31.4% 来自台积电，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，2019 年其与客户进行的 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示，并将电源效率提升了 50%。三星电子的专利占 20.6%。其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。三星电子比台积电更早开发了装载 FinFET 技术的 14MHz 产品。旨在吸引全球工程师。”他举例说，GAA 技术将芯片面积削减了 45%，全环绕栅极(Gate-All-Around，