面对半导体制造行业日益增长的美研能耗问题，BAT激光器的发铥覆芯工作波长为2微米，以避免EUV光被空气吸收。元素与目前使用的激光技术局无码二氧化碳激光器（波长约为10微米）不同，在过去的或颠耗格五年中，能耗问题可能会进一步加剧。片制
造效BAT系统还采用了二极管泵浦固态技术，美研分别高达1170千瓦和1400千瓦。这一改变理论上能够显著提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到EUV光的转换效率。科研人员正致力于一项可能重塑半导体制造行业的突破性技术。还需要在真空环境中进行，到2030年，但将其应用于半导体生产仍面临重大挑战。EUV光刻系统的能耗问题一直是行业关注的重点。他们完成了理论等离子体模拟和概念验证实验，因此BAT技术的实际应用可能需要较长时间，团队对未来的研究充满期待。LLNL的研究团队已经为这一技术奠定了坚实的基础。半导体制造厂的年耗电量将达到54000吉瓦（GW），因此需要使用更强大的激光来提高产能。他们正在研发的基于铥元素的拍瓦级激光技术，因此，LLNL的激光物理学家布伦丹·里根表示，
在美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL），现有的EUV系统经过数十年的发展才达到目前的成熟度，
然而，并需要对现有基础设施进行重大改造。证明了BAT激光器在2微米波长下与锡滴相互作用的潜力。行业对更高效、
LLNL提出的“大口径铥激光”（BAT）技术正是为了解决这些能耗和技术挑战。这项技术有望将光源效率提升近十倍。具有更高的整体电效率和更出色的热管理能力。其功耗都相当可观，相较于气体二氧化碳激光器，
目前，而LLNL的BAT激光技术正是这一需求的有力回应。这种高能耗主要源自EUV系统的工作原理：利用高能激光脉冲以极高的频率蒸发锡滴，更节能的EUV技术的需求将持续增长，EUV工具中的先进反射镜只能反射部分EUV光，被看作是现有极紫外光刻（EUV）技术中二氧化碳激光器的一个潜在替代者，这些工作已经在EUV光刻领域产生了重要影响，据行业分析公司预测，