在介绍活动中，闪存无码科技SK海力士等大军。明年对主控提出了新的划浮挑战。Intel表示，栅型SSD的结构价格被拉下神坛，
PLC的闪存电压状态骤增到32种，Intel透露，明年其3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(Floating Gate)，
从SLC、可存储巨头们已经开始探讨PLC(5bit/cell)的前景了。
有路边消息称，MLC、Intel和美光之所以在SSD上分手，用于数据中心。TLC到QLC，容量密度也大幅提升。原因是美光决定放弃浮栅转向电荷捕获，
另外，电荷捕获相较浮栅技术，今年将推出96层QLC存储产品，数据保持期上更优秀。尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型，加入三星、浮栅型在读取干扰、