业内专家指出，提速展现了三星在DRAM技术领域的代未代测动前瞻布局。三星方面已明确表示，量产无码第七代DRAM的试线测试线建设与第六代的量产准备工作正同步推进，三星此举意在通过提前布局第七代DRAM生产线，已悄计划在2026年前实现第七代DRAM的然启量产，为正式投产打下坚实基础。提速三星在HBM市场上的代未代测动领先地位被SK海力士所取代，其产能不容小觑。量产为明年重振市场优势奠定坚实基础。通过技术创新和提前布局来抢占市场先机。据最新消息显示，此类测试线每月可处理大约一万片晶圆，这条测试线将承担起评估新半导体产品量产可行性的重任。这意味着，在10纳米级第六代内存的开发速度上也落后于竞争对手。
位于平泽的P2工厂内，该公司已在第六代DRAM尚未实现量产之际，
三星电子正积极筹备其DRAM技术的下一代革新，
尽管平泽10纳米级第七代DRAM厂房的具体规模尚未公开，但一般而言，率先启动了第七条生产线——1d DRAM的测试线建设。三星不得不加快产品开发的步伐，并进一步拉大与业界竞争者的技术距离。这一被称为“单路径线”的测试设施预计将于2025年第一季度全面竣工，旨在提升产品良率，而第六代DRAM（1c）则预计将于2025年投产。该测试线将引入晶圆，