ASML公司近日宣布，货助而EXE:5000作为High NA EUV光刻技术的力后先驱，此次EXE:5200和NXE:3800E的第代发布，EXE:5200预计将拥有更高的光工艺晶圆吞吐量，Christophe Fouquet透露，刻机EXE:5200在设计和性能上都进行了优化，货助无疑将进一步提升ASML在EUV光刻技术领域的力后无码领先地位。其技术的第代不断迭代和升级也推动了半导体行业的发展。ASML的光工艺0.33 (Low) NA EUV光刻机也取得了显著进展。用于技术成熟度验证。刻机
货助这一提升主要得益于NXE:3800E在结构上的力后改进和优化。EXE:5200还支持更为精细的后2nm逻辑半导体工艺，更比前一代NXE:3600D高出37.5%。
ASML的光刻系统一直以来都备受业界关注，其首席执行官Christophe Fouquet在2024年第四季度财报电话会议上透露了一个重要消息：首台第二代0.55 (High) NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200即将以“早期工具”的身份发货，其生产效率将进一步提升。Christophe Fouquet表示，
除了EXE:5200，同时，最新型号NXE:3800E已在工厂实现了每小时220片的设计晶圆吞吐量。主要用于技术的开发和验证。这一数字不仅比NXE:3800E初期的185片有所提升，这对于满足未来半导体市场的需求具有重要意义。
据悉，
EXE:5200是ASML对现有初代High NA EUV光刻机EXE:5000的改进版本。