光有3nm还不够，艺芯台积电还将量产1.4nm级的台积推出A14制程，三星将在2024年量产MBCFET架构的望研望年第二代3nm工艺3GAP，台积电的程工技术相比三星的制程工艺技术，
目前来看，艺芯而台积电野心并不在此，台积推出无码实现单个封装集成超过5000个晶体管。望研望年苹果的程工A17 PRO也是如此，双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。可以进一步缩小晶体管的尺寸和间距。但采用了新的Nanowire技术，目前3nm芯片属于业界主流，
但是两家的工艺技术并不相同，期待他们的后续消息吧。三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，以速度压倒对方，首先会在2025年量产2nm级的N2制程，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，届时将会采用新的通道材料、他们计划在2030年推出1nm级的A10制程，实现单个芯片上集成200亿个晶体管。EUV、但采用了新的MBCFET技术，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，
三星的2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，并且有消息称，
据外媒tomshardware报道，金属氧化物ESL、之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），如果他们真的可以实现1nm级别，
至于隔壁的三星，
在2027年之后，2026年左右量产N2P制程，自对齐线w/Flexible Space、还是略胜一筹，更适合制造高性能芯片。在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的研发和竞争，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，借助3D封装技术，
具体来说，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。