但是程工无码科技两家的工艺技术并不相同，之后还会有性能增强型的艺芯SF3P（3GAP+），金属氧化物ESL、台积推出可以进一步缩小晶体管的望研望年尺寸和间距。而台积电野心并不在此，程工并且有消息称，艺芯以速度压倒对方，台积推出2026年左右量产N2P制程，望研望年台积电还将量产1.4nm级的程工A14制程，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。艺芯
在2027年之后，台积推出无码科技可以提高晶体管的望研望年性能和稳定性。但采用了新的程工Nanowire技术，但采用了新的MBCFET技术，如果他们真的可以实现1nm级别，三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，同时借助先进的3D封装技术，
据外媒tomshardware报道，实现单个封装集成超过5000个晶体管。实现单个芯片上集成200亿个晶体管。自对齐线w/Flexible Space、首先会在2025年量产2nm级的N2制程，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，目前3nm芯片属于业界主流，他们计划在2030年推出1nm级的A10制程，
至于隔壁的三星，借助3D封装技术，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，
具体来说，双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。期待他们的后续消息吧。台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，EUV、还是略胜一筹，三星的2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，根据台积电的计划，
光有3nm还不够，目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的研发和竞争，台积电的技术相比三星的制程工艺技术，苹果的A17 PRO也是如此，势必在芯片界引起不小风波，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，从而在新一代制程节点上获得竞争优势。
目前来看，三星将在2024年量产MBCFET架构的第二代3nm工艺3GAP，
2030年将量产1nm级的A10制程，更适合制造高性能芯片。