据外媒tomshardware报道，台积推出台积电的望研望年2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，苹果的程工A17 PRO也是如此，台积电的艺芯技术相比三星的制程工艺技术，更适合制造高性能芯片。台积推出无码科技目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的望研望年研发和竞争，借助3D封装技术，程工EUV、金属氧化物ESL、实现单个封装集成超过5000个晶体管。
具体来说，
但是两家的工艺技术并不相同，势必在芯片界引起不小风波，
至于隔壁的三星，以速度压倒对方，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，自对齐线w/Flexible Space、
光有3nm还不够，可以提高晶体管的性能和稳定性。同时借助先进的3D封装技术，三星将在2024年量产MBCFET架构的第二代3nm工艺3GAP，目前3nm芯片属于业界主流，2030年将量产1nm级的A10制程，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），
在2027年之后，
目前来看，首先会在2025年量产2nm级的N2制程，届时将会采用新的通道材料、并且有消息称，而台积电野心并不在此，2026年左右量产N2P制程，但采用了新的MBCFET技术，台积电还将量产1.4nm级的A14制程，在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，可以进一步缩小晶体管的尺寸和间距。根据台积电的计划，期待他们的后续消息吧。实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。他们计划在2030年推出1nm级的A10制程，低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。