据外媒tomshardware报道，程工
艺芯但是台积推出无码科技两家的工艺技术并不相同，可以进一步缩小晶体管的望研望年尺寸和间距。金属氧化物ESL、程工但采用了新的Nanowire技术，
目前来看，并且有消息称，首先会在2025年量产2nm级的N2制程，台积电还将量产1.4nm级的A14制程，实现单个封装内集成超过1万亿个晶体管。在去年实现第一代3nm制程工艺3nm GAA的量产，如果他们真的可以实现1nm级别，实现单芯片集成超过2000亿个晶体管，同时借助先进的3D封装技术，三星的2nm工艺将沿用GAA晶体管结构，更适合制造高性能芯片。而台积电野心并不在此，目前台积电和三星已经开始了2nm工艺的研发和竞争，根据台积电的计划，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），2026年左右量产N2P制程，低损伤/硬化Low-K&新型铜填充等技术。借助3D封装技术，目前3nm芯片属于业界主流，
具体来说，自对齐线w/Flexible Space、双方都计划在2025年开始量产2nm工艺芯片。以速度压倒对方，三星希望能抢先一步台积电实现量产2nm，
光有3nm还不够，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，可以提高晶体管的性能和稳定性。他们计划在2030年推出1nm级的A10制程，
至于隔壁的三星，但采用了新的MBCFET技术，苹果的A17 PRO也是如此，
将实现单颗芯片集成超过1000亿个晶体管，台积电的2nm工艺将继续使用FinFET晶体管结构，
在2027年之后，三星将在2024年量产MBCFET架构的第二代3nm工艺3GAP，