针对高端芯片制造，强势有效提高了客户的时俱综合良率。
引言
OPC(Optical Proximity Correction)即光学邻近校正，进引晶源计算通过对掩膜版上图形的东方修正来弥补因衍射受限成像而导致的图像失真，
针对硅光器件制造工艺仿真优化的光刻需求，考虑到硅光器件与传统芯片的强势需求差别，可以对任意弯曲图形的时俱无码掩模优化和光刻规则进行检查。PanGen®V5.0开发基于AI的进引晶源计算刻蚀模型和刻蚀自动补偿机制，以及curvelinear mask等。东方东方晶源针对国内前沿客户的光刻需求精益求精推出PanGen®V5.0版本。该产品主要特征及功能包括：
延续全芯片反向光刻技术思路，强势积极践行HPO(Holistic Process Optimization)良率最大化技术路线和产品设计理念， 为此，包括Freeform Sbar，进而提高芯片制造过程中的良率。并已获得客户验证。历经10年的开发与迭代，切实解决客户在芯片制造过程中的技术问题，基于Manhattan图形化的Freeform mask解决方案在先进节点制造中获得硅片验证，Freeform mask，不断拓展产品线覆盖面，PanGen®V5.0支持多种曲线版图的处理功能，PanGen®V5.0支持云服务与云计算。同时，
为满足先进封装工艺大版图OPC的需求，同时，
展望：
东方晶源将一如既往的深深扎根于客户需求的土壤，该产品已经广泛应用于国内主流逻辑和存储芯片制造商的工艺研发和量产中。为客户创造价值!
还特别开发了曲线目标版图掩膜优化功能，推出满足不同掩膜复杂度的ILT解决方案，持续深化技术创新，可以有效预测长程负载效应，是一种光刻分辨率增强技术，PanGen BigOPC®产品支持多掩模拼接曝光技术。从而增强图形的一致性，持续产品迭代研发，英伟达GPU计算集群生态以及ARM计算集群、不断完善产品功能，结果表明针对孔形版图提升光刻工艺窗口(Process window) 20%以上。产品介绍
2024年11月，
全面支持主流x86、不断提升产品性能，刻蚀的长程负载效应(loading effect)是影响晶圆量产良率的主要因素之一。
东方晶源自2014年成立之初即创造性提出基于CPU+GPU混合算力构架实现的全芯片反向光刻技术(ILT)计算光刻解决方案，并自动计算刻蚀补偿量，