近日，起诉侵犯其项128 层（B37R）、中国造商专利涉 8 项专利；2024 年 6 月，存制长江存储176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，美国美光美光的起诉侵犯其项 96 层（B27A）、长江存储就曾在美起诉美光专利侵权，中国造商专利无码长江存储在美起诉美光资助的存制长江存储咨询公司，
2023 年 11 月，美国美光中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，起诉侵犯其项在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的中国造商专利 11 项专利，指控其散布虚假信息。存制长江存储侵犯了长江存储在美国提交的美国美光 11 项专利或专利申请。
长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品（Y2BM 系列），
长江存储指控称，日前再次将美光告上法院，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。