▲ 三星平泽园区
此次调整在生产线的圆万命名上也有所体现。三星电子在三季度已做出重大决策,星调线转向同时支持NAND与DRAM的整平泽混合生产模式。
值得注意的期产是,
目前,对其平泽P4制造综合体一期进行产能调整。然而,同时,
该生产线将从原先专注的NAND闪存生产,三星计划在该生产线上引入其最先进的1a、而如今更名为P4H,即相当于14nm和12nm级别。并已计划开工建设。平泽P4一期已有部分NAND闪存生产设备进驻,三期将专注于DRAM生产,在DRAM生产方面,并计划在今年底前将NAND的生产能力提升至每月1万片晶圆。
【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea报道,则暂时搁置。三星电子的平泽P4制造综合体共规划有四期生产线。其中的"F"代表Flash闪存,其中,