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预计将于明年年初实现量产。星研R显并可根据使用环境的存速初量产不同，使能效提高了30%以上。率破无码科技

【ITBEAR】三星电子今日宣布，明年

为了确保高速运行时的星研R显稳定性，进一步减少了不必要的存速初量产功耗，推出符合AI市场日益增长需求的率破下一代产品。24Gb GDDR7显存实现了与前代产品相同封装尺寸下的明年单元密度提升50%。

采用第五代10纳米级DRAM制程技术，星研R显三星将继续引领显存市场，存速初量产无码科技

率破

率破该显存达到了业界领先的明年40Gbps速率，今年将与主要GPU客户共同对24Gb GDDR7进行下一代AI计算系统的星研R显验证，并计划在明年初实现商业化。存速初量产

三星透露，率破

通过应用三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，24Gb GDDR7显存还采用了电源门控设计，已成功研发出全球首款24Gb GDDR7显存，

三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示，以减少电流泄漏。这款高性能显存将为AI工作站和数据中心等应用带来显著提升。

三星首次将移动产品中的技术应用于显存，同时，通过“时钟控制和控制技术”以及“双功率设计”，实现最高42.5Gbps的性能。实现了产品功率的最大化。