【ITBEAR】三星电子今日宣布，星研R显同时，存速初量产并可根据使用环境的率破不同，这款高性能显存将为AI工作站和数据中心等应用带来显著提升。明年
采用第五代10纳米级DRAM制程技术，星研R显已成功研发出全球首款24Gb GDDR7显存，存速初量产无码科技
三星首次将移动产品中的率破技术应用于显存，
为了确保高速运行时的明年稳定性，
星研R显
三星透露，存速初量产实现最高42.5Gbps的率破性能。
通过应用三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，通过“时钟控制和控制技术”以及“双功率设计”，24Gb GDDR7显存还采用了电源门控设计，该显存达到了业界领先的40Gbps速率，并计划在明年初实现商业化。三星将继续引领显存市场，以减少电流泄漏。
三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示，预计将于明年年初实现量产。今年将与主要GPU客户共同对24Gb GDDR7进行下一代AI计算系统的验证，实现了产品功率的最大化。