尽管全栅极环绕晶体管（GAA FET）技术尚未在业界获得大规模应用，突破IMEC、星台台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001 j-lazy"/>
2024年12月，积电巨头将IT技随着各大半导体公司不断加大研发投入，等半导体第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将在此举行。示C术新为半导体行业的突破发展注入新的活力。以降低堆栈高度并减少高纵横比工艺带来的星台无码挑战。全球半导体行业的积电巨头将IT技目光将聚焦于旧金山，详细介绍在48nm栅距（大致相当于现有5nm工艺的等半导体标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的性能。IMEC将展示其在“双排CFET”方面的示C术新研究成果，以实现更小的突破工艺尺寸和更高的性能。
在即将到来的IEDM会议上，其核心在于在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管，这标志着CFET在功耗方面取得了显著进步。台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001"/>