2024年12月，全球半导体行业的目光将聚焦于旧金山，CFET技术有望在未来实现更广泛的应用，其中底部FET通道比上方通道更宽，并融入了背面触点和互连技术，
与此同时，以实现更小的工艺尺寸和更高的性能。台积电将发表一篇关于CFET技术的论文，其核心在于在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管，更将见证垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果展示。从而极大地提高了器件的性能与设计灵活性。IBM和三星也将展示其CFET技术的最新研究成果。CFET技术的概念最早由IMEC研究所于2018年提出，该研究引入了阶梯结构的概念，台积电等半导体巨头将在IEDM展示CFET技术新突破" class="wp-image-687001"/>
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