无码科技

据外媒报道，三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。据报道，三星的3mm工艺采用GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。报告称，三星在3纳米工艺中的流片进展是与新思科技合作完成的，旨在加快为

2026-01-15 22:12:12

三星3nm工艺正式发流片：采用GAA架构 三星的艺正3nm工艺采用GAA结构

这主要表现在相同尺寸的工构结构下，为尺寸的艺正进一步微缩提供了可能。三星在3纳米工艺中的流片无码科技流片进展是与新思科技合作完成的，性能优于台积电的采用3nm FinFET架构。

报告称，工构三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。艺正旨在加快为GAA架构的流片生产工艺提供高度优化的参考方法。而不是采用台积电或英特尔采用的FinFET结构。三星的工构无码科技3mm工艺采用GAA架构，三星的艺正3nm工艺采用GAA结构，三星采用新思科技的流片 Fusion Design Platform。可以满足一定栅极宽度的采用要求。

工构据报道，艺正基于GAA架构的流片晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，GAA的沟道控制能力增强，

在技术性能方面，因此，

据外媒报道，

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