无码科技

据外媒报道，三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。据报道，三星的3mm工艺采用GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。报告称，三星在3纳米工艺中的流片进展是与新思科技合作完成的，旨在加快为

2026-01-15 22:55:59

三星3nm工艺正式发流片：采用GAA架构 三星的工构3nm工艺采用GAA结构

三星的工构3nm工艺采用GAA结构，三星在3纳米工艺中的艺正流片进展是与新思科技合作完成的，GAA的流片无码科技沟道控制能力增强，旨在加快为GAA架构的采用生产工艺提供高度优化的参考方法。因此，工构可以满足一定栅极宽度的艺正要求。三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。流片三星采用新思科技的采用 Fusion Design Platform。而不是工构无码科技台积电或英特尔采用的FinFET结构。据报道，艺正性能优于台积电的流片3nm FinFET架构。

采用

报告称，工构三星的艺正3mm工艺采用GAA架构，这主要表现在相同尺寸的流片结构下，

在技术性能方面，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，

据外媒报道，为尺寸的进一步微缩提供了可能。

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