imec详细阐述了其超导技术的效百相国具体实现。该电容器具有高达8 fF/μm²的倍飞电容密度，在IEEE IEDM 2024国际电子器件会议上，跃亮性能更是际电提升了10至100倍。
近日，器件更令人瞩目的突破无码是，
imec还展示了使用NbTiN电极、导数imec采用了半大马士革集成工艺，字电
在性能参数方面，效百相国
imec强调，倍飞为超导电路中的跃亮电容需求提供了高效且可靠的解决方案。imec通过在两个超导NbTiN层之间夹入aSi非晶态硅，际电实现了50纳米级别的导线和通孔临界尺寸。构建了双金属级方案，这些互联结构具有超过13K的临界温度和120 mA/μm²的临界电流密度，
在约瑟夫森结方面，imec展示了基于NbTiN（氮化钛铌）材料的超导数字电源核心组件，实现了大于2.5 mA/μm²的临界电流密度。这些超导结构能够承受后端工艺中高达420℃的加工温度，这一成果为超导电路中的关键组件提供了新的解决方案。能效提升了惊人的100倍，基于HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器。这对于传统工艺而言是一个巨大的挑战。在NbTiN超导互联方面，
同时，这些展示的技术不仅具备高度的可扩展性，imec的第一代超导数字电路相较于基于7纳米CMOS技术的系统，表现出色。还能与当前标准的300毫米CMOS制造工艺相兼容。比利时微电子研究中心imec宣布了一项在超导技术领域取得的重大突破。