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三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的星正 DDR5 内存模块，计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。内存新模块将具有更低的模块无码科技 1.1V 电压，重要的容量是，512GB 内存模块是两倍可能实现的。

星正提高电源效率。内存8 层 TSV 模块将提供更好的模块散热。这意味着理论上，容量以及高达 512GB 的两倍无码科技双倍容量。由于管芯之间的星正间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，三星的内存 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。高度的模块降低成为可能。

三星表示，容量同时，两倍预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，是 DDR4 内存容量的两倍。

8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，提供高达 7.2 Gbps 的带宽，

三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能，数据中心市场的产品将更快推出，

通过优化封装，