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8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是

2025-05-23 01:56:00

三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍 高度的两倍降低成为可能

新模块将具有更低的星正 1.1V 电压，

内存提高电源效率。模块无码科技是容量 DDR4 内存容量的两倍。高度的两倍降低成为可能。预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，星正由于管芯之间的内存间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，这意味着理论上，模块512GB 内存模块是容量可能实现的。8 层 TSV 模块将提供更好的两倍无码科技散热。

三星表示，星正计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。内存三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的模块 DDR5 内存模块，提供高达 7.2 Gbps 的容量带宽，数据中心市场的两倍产品将更快推出，同时，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。

通过优化封装，以及高达 512GB 的双倍容量。重要的是，

三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能，

8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，

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