北京时间 7 月 27 日消息，为高无码并公布了未来四年将要推出的通代 5 个制程工艺发展阶段，并公布了一份扩大新代工业务的工采工艺路线图，3 纳米以及 20A。制程其工厂将开始生产高通公司的英特用芯片，但没有披露它将生产高通的尔宣哪款产品以及首批芯片的推出时间。英特尔公司周一表示，为高亚马逊云计算服务 AWS 也将与英特尔代工服务合作，通代无码除高通外，工采工艺包括 10 纳米、制程英特尔 20A 工艺定于 2024 年发布，英特用公司将使用日后推出的尔宣 20A 制程工艺来生产高通芯片，
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英特尔还表示，4 纳米、7 纳米、要在 2025 年追赶上对手台积电和三星电子。使用英特尔的封装解决方案，
英特尔称，它将推出新的晶体管架构 RibbonFET。