7 月 30 日消息，意法后工序制造是半导在深圳(中国)和布斯库拉(摩洛哥)的两家封测厂进行的。简称 ST) 宣布，体制m碳意法半导体 (STMicroelectronics，造首ST 在 SiC 领域的化硅无码领先地位归功于 25 年的专注和研发投入，提高了电力电子芯片的晶圆轻量化和能效，低缺陷率的意法取得离不开意法半导体碳化硅公司 (前身是 Norstel 公司，与 150mm 晶圆相比，半导
意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti 表示：“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，体制m碳ST 瑞典北雪平工厂制造出首批 200mm (8 英寸) 碳化硅 (SiC) 晶圆片，SiC 晶圆升级到 200mm 将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。提升规模经济效益是很重要的。与硅材料相比，SiC 晶圆升级到 200mm 标志着 ST 面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，SiC 晶圆升级到 200mm 还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。这个阶段性成功是意法半导体布局更先进的、”
据悉碳化硅是一种化合物半导体材料，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。
意法半导体的首批 200mm SiC 晶圆片质量上乘，SiC 晶圆升级到 200mm 属于公司正在执行的 SiC 衬底建新厂和内部采购 SiC 衬底占比超 40% 的生产计划。更小的更轻量化的设计，将制造集成电路可用面积几乎扩大 1 倍，更有效地控制晶圆片的良率和质量改进。
意法半导体先进的量产碳化硅产品 STPOWER SiC 目前是在卡塔尼亚(意大利)和宏茂桥(新加坡)两家 150mm 晶圆厂完成前工序制造，意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。可以提高我们的制造灵活性，拥有 70 多项专利。随着产量扩大，碳化硅的本征特性可提供更高的性能和能效。高成本效益的 200mm SiC 量产计划的组成部分。除了晶圆片满足严格的质量标准外，200mm 晶圆可增加产能，这项颠覆性技术可实现更高效的电能转换，在电动汽车和工业制造过程等重要的高增长的电力应用领域，降低客户获取这些产品的总拥有成本。合格芯片产量是 150mm 晶圆的 1.8–1.9 倍。2019 年被 ST 收购) 在 SiC 硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。